Zobrazeno 1 - 10 of 19 pro vyhledávání: '"Kousik, G. S."'
1
Akademický článek
Nondestructive technique to measure bulk lifetime and surface recombination velocities at the two surfaces by infrared absorption due to pulsed optical excitation.
Autor: Kousik, G. S., Ling, Z. G., Ajmera, P. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1992, Vol. 72 Issue 1, p141, 6p, 2 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Simultaneous extraction of bulk lifetime and surface recombination velocities from free carrier absorption transients.
Autor: Ling, Z. G., Ajmera, P. K., Kousik, G. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1994, Vol. 75 Issue 5, p2718, 3p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Quantum 1/ f Noise Associated with Intervalley Scattering in Nondegenerate Semiconductors. I. Analytical Calculations.
Autor: Kousik, G. S., van Vliet, C. M., Bosman, G., Luo, Horng-Jye
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Aug1989, Vol. 154 Issue 2, p713-726, 14p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Langevin-like method for modelling the noise currents in HgCdTe barrier LWIR detectors.
Autor: Jóźwikowski, Krzysztof1 krzysztof.jozwikowski@wat.edu.pl
Publikováno v: Optical & Quantum Electronics. Mar2017, Vol. 49 Issue 3, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Kniha
The Principles of Photovoltaics.
Autor: Goetzberger, Adolf, Knobloch, Joachim, Voß, Bernhard
Publikováno v: Crystalline Silicon Solar Cells; 2014, p9-48, 40p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Specific features of switch-on processes in high-voltage (18 kV class) optically triggered 4H-SiC thyristors.
Autor: Mnatsakanov, T T, Yurkov, S N, Levinshtein, M E, Cheng, L, Palmour, J W
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; May2014, Vol. 29 Issue 5, p055005-055009, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Kniha
Index of names.
Autor: Landsberg, Peter T.
Publikováno v: Recombination in Semiconductors; 1991, p573-584, 12p
Zobrazit plný text záznamu
9
Kniha
Index of topics, concepts and materials.
Autor: Landsberg, Peter T.
Publikováno v: Recombination in Semiconductors; 1991, p585-595, 11p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Injection-level dependent surface recombination velocities at the Si–SiO2 interface.
Autor: Bikbajevas, V, Grivickas, V, Linnros, J, Tellefsen, J A
Publikováno v: Physica Scripta; 1999, Vol. 1999 Issue T79, p322-326, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje