Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Koushan, Foroozan"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 130, 054901 (2021)
In recent years, resistive RAM often referred to as memristor is actively pursued as a replacement for nonvolatile-flash memory due to its superior characteristics such as high density, scalability, low power operation, high endurance, and fast opera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.12829
A large number of experimental studies suggest two-terminal resistive switching devices made of a dielectric thin film sandwiched by a pair of electrodes exhibit reversible multi-state switching behaviors; however coherent understanding of physical a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.15123
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jameson, John R., Blanchard, Philippe, Dinh, John, Gonzales, Nathan, Gopalakrishnan, Vasudevan, Guichet, Berenice, Hollmer, Shane, Hsu, Sue, Intrater, Gideon, Kamalanathan, Deepak, Kim, David, Koushan, Foroozan, Kwan, Ming, Lewis, Derric, Pedersen, Bard, Ramsbey, Mark, Runnion, Ed, Shields, Jeffrey, Tsai, Kevin, Tysdal, Aaron, Wang, Daniel, Gopinath, Venkatesh
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2016, Vol. 75 Issue: 5 p41-54, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.