Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Kouhestani, C."'
Autor:
Mayberry, C. S., Huang, Danhong, Balakrishnan, G., Kouhestani, C., Islam, N., Brueck, S. R. J., Sharma, A. K.
We report the transport characteristics of both electrons and holes through narrow constricted crystalline Si "wall-like" long-channels that were surrounded by a thermally grown SiO2 layer. Importantly, as a result of the existence of fixed oxide cha
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.06338
Autor:
Mayberry, C. S., Danhong Huang, Balakrishnan, G., Kouhestani, C., Islam, N., Brueck, S. R. J., Sharma, A. K.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/7/2015, Vol. 118 Issue 13, p134301-1-134301-11, 11p, 3 Black and White Photographs, 3 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Publikováno v:
2014 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (IIRW); 2014, p143-146, 4p
Publikováno v:
2013 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 2013, p157-160, 4p
Publikováno v:
2013 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 2013, p150-153, 4p
Publikováno v:
2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 1/ 1/2012, p136-139, 4p
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Feb2013, Vol. 10 Issue 2, p259-262, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.