Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"Kotomina, V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dorokhin, M. V., Boldin, M. S., Uskova, E. A., Boryakov, A. V., Demina, P. B., Erofeeva, I. V., Zdoroveyshchev, A. V., Kotomina, V. E., Kuznetsov, Yu. M., Lantsev, E. A., Popov, A. A., Trushin, V. N.
Publikováno v:
Technical Physics; 2024, Vol. 69 Issue 3, p517-525, 9p
Effect of pulse amplitude on depression and potentiation of ZrO2(Y)-based memristive synaptic device
Autor:
Koryazhkina M., Okulich E., Ryabova M., Belov A., Antonov I., Kotomina V., Shchanikov S., Mikhaylov A., Filatov D., Carollo A., Valenti D., Spagnolo B.
Publikováno v:
2022 6th Scientific School Dynamics of Complex Networks and their Applications (DCNA).
The effect of the amplitude of depressing and potentiating pulses on the synaptic plasticity (potentiation and depression) of a memristive device based on the Ta/ZrO2(Y)/Pt stack has been experimentally studied. It is shown that the amplitude of depr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::23041ae607d0f87a95cfba6965ce74d6
https://doi.org/10.1109/dcna56428.2022.9923189
https://doi.org/10.1109/dcna56428.2022.9923189
Autor:
Proyavin, M. D., Morozkin, M. V., Kotomina, V. E., Zaslavsky, V. Y., Peskov, N. Y., Sobolev, D. I., Palitsin, A. V.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2023, Vol. 2803 Issue 1, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Kruglov A. V., null Antonov I. N., null Kotomina V. E., null Shenina M. E., null Denisov S. A., null Shengurov V. G., null Gorshkov O. N., null Filatov D. O.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:3
The electrical parameters of the prototype memristors based on p-Si/p-Ge/n+-Si(001) epitaxial heterostructures with Ag and Ru electrodes have been studied. The memristors with Ru electrodes demonstrated smaller electroforming voltage and greater rati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::438963063f70b79a8042899c545ba6ed
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Trushin V. N., null Popov A. A., null Lantsev E. A., null Кuzetsov Yu. M., null Kotomina V. E., null Zdoroveyshchev A. V., null Erofeeva I. V., null Demina P. B., null Boryakov A. V., null Uskova E. A., null Boldin M.S., null Dorokhin M. V.
Publikováno v:
Technical Physics. 67:2402
The kinetics of diffusion processes occurring during the formation of polycrystalline Si1-xGex nanostructures (x=0.20, 0.35) by spark plasma sintering in the temperature range 20-1200oC was studied for the first time. A mechanism for the formation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::766e7613156deee22df06a6b1b32a01b
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55267.152-21
https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55267.152-21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.