Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"Kotel'nikov, I. A."'
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics, 2006, Vol. 51, No. 5, pp. 588-595
Al-$\delta$-GaAs structures are studied where tunneling to one or more subbands of the 2D electron system of a near-surface delta-doped layer is observed. Reflection of electrons at the threshold of the emission of LO-phonon is observed. This phenome
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.11971
Publikováno v:
Phys. Low-Dim. Struct., 11/12 (2001), pp 233-244
2DEG states of Al/$\delta$-GaAs structures were investigated in the persistent tunneling photoconductivity (PTPC) regime at low temperatures. "Thickening" of the unoccupied subbands to the ground state of 2DEG was observed at $T=4.2$~$K$. It was foun
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.11471
Publikováno v:
N.A. Mordovets, A.Ya. Shul'man, I.N. Kotel'nikov. Semiconductor Science and Technology, 19 (2004) S308-S311
The heat transport in heavy-doped n-GaAs has been investigated at temperatures T=300 K and 77 K using the irradiation of the metal-semiconductor contact by modulated CO_{2}-laser radiation. It is shown this approach giving an opportunity to determine
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0501160
We present the concept and the results of pilot measurements of tunneling in a system {Al/$\delta_{Si}$-GaAs} under pressure up to 2 GPa at 4.2 K. The obtained results may indicate the following: the barrier height for {Al/$\delta$-GaAs} equals to 0.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0209407
Publikováno v:
Phys.Stat.Sol.(b)223 129 (2001)
The theory of tunnel current-voltage (I-V) characteristics of metal-semiconductor junctions based on the self-consistent solution of Poisson equation allows to get the Schottky-barrier height and the charged impurity concentration directly from the t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0010200
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2006 34(1):628-631
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
JETP Letters. Jan2013, Vol. 96 Issue 9, p577-581. 5p.
Autor:
Kotel'nikov, I. N.1 igor@mail.cplire.ru, Dizhur, S. E.1
Publikováno v:
JETP Letters. 5/10/2005, Vol. 81 Issue 9, p458-461. 4p.