Zobrazeno 1 - 10 of 19 pro vyhledávání: '"Kosel, T. H."'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
II-VI heterostructures obtained by encapsulation of colloidal CdSe nanowires by molecular beam epitaxy deposition of ZnSe.
Autor: Xinyu Liu, Mintairov, A. M., Herzog, J., Vietmeyer, F., Pimpinella, R. E., Kuno, M., Merz, J. L., Kosel, T. H., Dobrowolska, M., Furdyna, J. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; May2011, Vol. 29 Issue 3, p03C102-1-03C102-4, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The Size Effect in Abrasion of Dual-Phase Alloys.
Autor: Kosel, T. H., Li, S. Z., Rao, C. M.
Publikováno v: ASLE Transactions; Jan1985, Vol. 28 Issue 3, p343-350, 8p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Erosion Debris Particle Observations and the Micromachining Mechanism of Erosion.
Autor: Kosel, T. H., Mao, Z. Y., Prasad, S. V.
Publikováno v: ASLE Transactions; Jan1985, Vol. 28 Issue 2, p268-276, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Induced Branching in Confined PbSe Nanowires
Autor: Hull, K. L., Grebinski, J. W., Kosel, T. H., Kuno, M.
Publikováno v: Chemistry of Materials; August 2005, Vol. 17 Issue: 17 p4416-4425, 10p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Solution-Based Straight and Branched CdSe Nanowires
Autor: Grebinski, J. W., Hull, K. L., Zhang, J., Kosel, T. H., Kuno, M.
Publikováno v: Chemistry of Materials; December 2004, Vol. 16 Issue: 25 p5260-5272, 13p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Microwave Performance of GaAs MOSFET With Wet Thermally Oxidized InAlP Gate Dielectric.
Autor: Y. Cao, X. Li, J. Zhang, P. Fay, Kosel, T. H., Hall, D. C.
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters; May2006, Vol. 27 Issue 5, p317-319, 3p, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Electrical properties of InAlP native oxides for metal–oxide–semiconductor device applications.
Autor: Cao, Y., Zhang, J., Li, X., Kosel, T. H., Fay, P., Hall, D. C., Zhang, X. B., Dupuis, R. D., Jasinski, J. B., Liliental-Weber, Z.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/7/2005, Vol. 86 Issue 6, p062105, 3p, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje