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Nanocomposites based on ordered porous membranes to study lipid bilayers phase transition
Autor: Forzani, L., Garces Pineda, Felipe Andres, Arce, R.d., Rodi, Pablo Marcelo, Passeggi, Mario Cesar Guillermo, Gennaro, Ana Maria, Koropecki, Roberto Roman
Publikováno v: CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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En este trabajo desarrollamos metodologías basadas en propiedades fotónicas del silicio poroso y de la alúmina porosa, para el estudio de transformaciones de fase de membranas lipídicas confinadas en diferentes entornos. Se presentan aquí result
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http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1964
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Effects of Irradiation on Porous Silicon
Autor: Koropecki, Roberto Roman, Arce, Roberto Delio
Publikováno v: Handbook of Porous Silicon
Besides the well-known effect of photoluminescence, the impinging of photons and other kinds of particles such as electrons, ions, and muons on porous silicon produces important effects. Some of these effects can modify the structure and properties o
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https://www.springer.com/gp/book/9783319057446?utm_campaign=bookpage_about_buyonpublisherssite&utm_medium=referral&utm_source=springerlink
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Optofluidic study of the pore widening in nanoporous alumina membranes
Autor: Elizalde, Emanuel, Rahman, M.M., Urteaga, Raul, Berli, Claudio Luis Alberto, Koropecki, Roberto Roman
Publikováno v: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2014;04(25):189-193
Biblioteca Digital (UBA-FCEN)
Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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En este trabajo se utiliza una técnica optofluídica para estudiar el ensanchamiento químico de los poros de membranas de alúmina nanoporosa. La técnica optofluídica consiste en medir la evolución de la reflectancia de luz láser producida por
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Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties
Autor: Garces Pineda, Felipe Andres, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussan, A., Koropecki, Roberto Roman, Arce, Roberto Delio
Publikováno v: An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2010;02(22):32-36
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Universidad Nacional de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Par
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http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/431
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Desarrollo de cristales fotónicos de silicio poroso para diagnóstico biomédico
Autor: Lasave, Liliana Carolina, Priano, Graciela Inés, Koropecki, Roberto Roman, Battaglini, Fernando, Arce, Roberto Delio
Publikováno v: CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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El silicio poroso (SP) es un material que actualmente está cobrando gran importancia en aplicaciones biomédicas debido a sus notables propiedades estructurales y optoelectrónicas. En este trabajo presentamos resultados de estructuras de SP desarro
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https://bibliotecavirtual.unl.edu.ar/publicaciones/index.php/FABICIB/article/view/853/1238
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Determination of the hydrogenated amorphous silicon density of states parameters from photoconductivity measurements
Autor: Longeaud, C., Schmidt, Javier Alejandro, Koropecki, Roberto Roman, Kleider, J. P.
In this paper, after a short recall of the information that can be extracted from different experiments based on the photoconductivity properties of a semiconductor, we present experimental results obtained on a thin film of hydrogenated amorphous si
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https://joam.inoe.ro/download.php?idu=2028
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Estudio Comparativo de la Densidad de Estados en Muestras de Silicio Microcristalino Obtenida a Través del Método de Conductividad Térmicamente Estimulada y Técnicas de Fotoconductividad Modulada
Autor: Dussan, Anderson, Schmidt, Javier Alejandro, Koropecki, Roberto Roman
En este trabajo se presenta un estudio de la densidad de estados (DOS) obtenida en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [µc-Si:H (B)] a través del método de conductividad térmicamente estimulada (TSC) y comparada con los resultado
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Structural and optical properties of compensated microcrystalline silicon films
Autor: Dussan, A., Koropecki, Roberto Roman, Arce, Roberto Delio, Schmidt, Javier Alejandro
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Boron-doped microcrystalline silicon films were deposited in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The effects of the Boron concentration on the optica
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https://rmf.smf.mx/pdf/rmf-s/53/7/53_7_253.pdf
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Propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de uc-Si:H
Autor: Dussan, A., Koropecki, Roberto Roman
Una serie de películas delgadas de silicio microcristalino dopadas con Boro (µc-Si:H (B)) fueron depositadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Las muestras fueron dopas con Boro. La microestructura
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Crystallization process in hydrogenated amorphous silicon thin films: an uv reflectance study
Autor: Rinaldi, Pablo Andres, Koropecki, Roberto Roman, Buitrago, Roman Horacio
Publikováno v: CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
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En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se u
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https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/254
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