Vector magnetometry using silicon vacancies in 4H-SiC at ambient conditions

Autor: Niethammer, Matthias, Widmann, Matthias, Lee, Sang-Yun, Stenberg, Pontus, Kordina, Olof, Ohshima, Takeshi, Son, Nguyen Tien, Janzén, Erik, Wrachtrup, Jörg

Publikováno v: Phys. Rev. Applied 6, 034001 (2016)

Point defects in solids promise precise measurements of various quantities. Especially magnetic field sensing using the spin of point defects has been of great interest recently. When optical readout of spin states is used, point defects achieve opti

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1606.01301

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

Autor: Lu, Jun, Chen, Jr-Tai, Dahlqvist, Martin, Kabouche, Riad, Medjdoub, Farid, Rosen, Johanna, Kordina, Olof, Hultman, Lars

Publikováno v: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 115 (22), pp.221601. ⟨10.1063/1.5123374⟩
Applied Physics Letters, 2019, 115 (22), pp.221601. ⟨10.1063/1.5123374⟩

Interfaces containing misfit dislocations deteriorate electronic properties of heteroepitaxial wide bandgap III-nitride semiconductors grown on foreign substrates, as a result of lattice and thermal expansion mismatches and incompatible chemical bond

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d77d4ccb53f74244007e6d009b09a9ad
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-163045

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.