Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Korchovyi, A.A."'
Autor:
Vashchenko, Vyacheslav, Yatsenko, Irina, Kovalenko, Yuriy, Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo., Lytvyn, P.M., Korchovyi, A.A., Mamykin, S.V., Kondratenko, O.S., Maslov, V.P., Dorozinska, H.V., Dorozinsky, G.V.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 4, Pp 444-451 (2019)
Electron-beam treatment the glass substrates for sensitive elements of SPR devices causes almost two-fold narrowing their refractometric characteristics from 0.867 down to 0.453 deg. The angular shift was also changed, which made the measuring range
Autor:
Romanyuk, V.R., Kondratenko, O.S., Fursenko, O.V., Lytvyn, O.S., Zynyo, S.A., Korchovyi, A.A., Dmitruk, N.L.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2008 149(3):285-291
Autor:
Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.
Publikováno v:
Functional materials. 24:654-659
The mechanism and kinetics of chemical dissolution of InAs, InSb, GaAs and GaSb in (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-C₄H₆O₆ etching mixtures have been studied. Influence of tartaric acid on the parameters of chemical-dynamic polishing and morphology of t
The chemical dissolution of the CdTe single crystals and ZnxCd₁-xTe , ZnxCd₁-xTe solid solutions in aqueous solution of K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol in reproducible hydrodynamics conditions has been investigated for the first time. The graph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::7f61db24daba968e291ce92e00713ee3
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157415
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157415
Autor:
Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.
The chemical dissolution of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals in (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-C₆H₈O₇ etching solutions has been investigated. The dissolution rate of the semiconductor materials has been measured as a function of etchant composition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::6018a96cc67b2a83b1336e0fe94dca5d
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154462
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154462
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shapovalov, A.P., Korotash, I.V., Rudenko, E.M., Sizov, F.F., Dubyna, D.S., Osipov, L.S., Polotskiy, D.Yu., Tsybrii, Z.F., Korchovyi, A.A.
Aluminum nitride (AlN) film coatings have been obtained by a new technique of hybrid helikon-arc ion-plasma deposition. Possibility to combine the magnetic-filtered arc plasma deposition technique with a treatment in RF plasma of helicon discharge al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::917d9c7596c8f659767be4cd191f0d7c
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120739
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120739
Autor:
Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
This study reports on development of the interference lithography (IL) technique applying the resist based on chalcogenide glass films for fabrication of gold chips in the nform of periodic surface nanostructures for surface plasmon resonance (SPR) r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bd19e66cbb7cafda7cf5032119ed11b5
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121271
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121271