Zobrazeno 1 - 10
of 138
pro vyhledávání: '"Kopaczek J"'
Autor:
Delorme, O., Cerutti, L., Kudrawiec, R., Luna, Esperanza, Kopaczek, J., Gladysiewicz, M., Trampert, A., Tournié, E., Rodriguez, J. -B.
Publikováno v:
Wang, Shumin and Lu, Pengfei. Bismuth-Containing Alloys and Nanostructures, Springer Series in Materials Science, pp.125-161, 2019, 978-981-13-8077-8
Dilute bismuth (Bi) III-V alloys have recently attracted great attention, due to their properties of band-gap reduction and spin-orbit splitting. The incorporation of Bi into antimonide based III-V semiconductors is very attractive for the developmen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.11210
Autor:
Oliva, R., Laurien, M., Dybala, F., Kopaczek, J., Quin, Y., Tongay, S., Rubel, O., Kudrawiec, R.
Publikováno v:
NPJ 2D Mater. Appl. 3, 20 (2019)
We present an experimental and theoretical study of the electronic band structure of ReS2 and ReSe2 at high hydrostatic pressures. The experiments are performed by photoreflectance spectroscopy and are analyzed in terms of ab initio calculations with
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.02995
Publikováno v:
In Measurement February 2021 169
Publikováno v:
In Measurement November 2019 146:879-884
Autor:
Rogowicz, E.1 (AUTHOR) ernest.rogowicz@pwr.edu.pl, Kopaczek, J.2 (AUTHOR), Polak, M. P.2,3 (AUTHOR), Delorme, O.4 (AUTHOR), Cerutti, L.4 (AUTHOR), Tournié, E.4 (AUTHOR), Rodriguez, J.-B.4 (AUTHOR), Kudrawiec, R.2 (AUTHOR), Syperek, M.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 7/28/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-10. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wozniak, T., Faria Junior, P. E., Oliva, R., Tołłoczko, A., Kopaczek, J., Zelewski, S., Dybała, F., Fabian, J., Scharoch, P., Kudrawiec, R.
Publikováno v:
50th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2022", 04.-10.06.2022, Szczyrk, Poland
Electronic properties of layered van der Waals crystals can be effectively tuned by means of external and configurational factors. It allows for the investigation of the fundamental material properties that are valuable for technological applications
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::343cfeb5c2de5215ebd71a023fd65c2b
https://www.hzdr.de/publications/Publ-34740-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-34740-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kudrawiec, R., Kopaczek, J., Delorme, O., Polak, M. P., Gladysiewicz, M., Luna, E., Cerutti, L., Tournié, E., Rodriguez, J. B.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/28/2019, Vol. 125 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 12p, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 2 Charts, 9 Graphs