Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Koon, Gavin Kok Wai"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Avsar, Ahmet, Vera-Marun, Ivan Jesus, Tan, Jun You, Koon, Gavin Kok Wai, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Adam, Shaffique, Ozyilmaz, Barbaros
Publikováno v:
NPG Asia Materials 8, e274 (Mar 2016)
The elimination of extrinsic sources of spin relaxation is key in realizing the exceptional intrinsic spin transport performance of graphene. Towards this, we study charge and spin transport in bilayer graphene-based spin valve devices fabricated in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.07817
Publikováno v:
2D Mater.2, 044009, 2015
The preservation and manipulation of a spin state mainly depends on the strength of the spin-orbit interaction. For pristine graphene, the intrinsic spin-orbit coupling (SOC) is only in the order of few ueV, which makes it almost impossible to be use
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.00642
Autor:
Luo, Xin, Lu, Xin, Koon, Gavin Kok Wai, Neto, Antonio H. Castro, Özyilmaz, Barbaros, Xiong, Qihua, Quek, Su Ying
Bulk black phosphorus (BP) consists of puckered layers of phosphorus atoms. Few-layer BP, obtained from bulk BP by exfoliation, is an emerging candidate as a channel material in post-silicon electronics. A deep understanding of its physical propertie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.02953
Publikováno v:
In Applied Materials Today September 2020 20
Autor:
Avsar, Ahmet, Tan, Jun You, Balakrishnan, Jayakumar, Koon, Gavin Kok Wai, Lahiri, Jayeeta, Carvalho, Alexandra, Rodin, Aleksandr, Taychatanapat, Thiti, OFarrell, Eoin, Eda, Goki, Neto, Antonio Helio Castro, Ozyilmaz, Barbaros
Publikováno v:
Nature Communications, 5, 4875 (2014)
The development of a spintronics device relies on efficient generation of spin polarized currents and their electric field controlled manipulation. While observation of exceptionally long spin relaxation lengths make graphene an intriguing material f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1412.0920
Autor:
Huang, Yuan, Wu, Jing, Xu, Xiangfan, Ho, Yuda, Ni, Guangxin, Zou, Qiang, Koon, Gavin Kok Wai, Zhao, Weijie, Neto, A. H. Castro, Eda, Goki, Shen, Chengmin, Özyilmaz, Barbaros
Publikováno v:
Nano Research 2013
We report a systematic study of the etching of MoS2 crystals by using XeF2 as a gaseous reactant. By controlling the etching process, monolayer MoS2 with uniform morphology can be obtained. The Raman and photoluminescence spectra of the resulting mat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.0113
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Balakrishnan, Jayakumar, Koon, Gavin Kok Wai, Avsar, Ahmet, Ho, Yuda, Lee, Jong Hak, Jaiswal, Manu, Baeck, Seung Jae, Ahn, Jong Hyun, Ferreira, Aires, Cazalilla, Miguel A., Neto, Antonio H Castro, Özyilmaz, Barbaros
Advances in large-area graphene synthesis via chemical vapour deposition on metals like copper were instrumental in the demonstration of graphene-based novel, wafer-scale electronic circuits and proof-of-concept applications such as flexible touch pa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::77b8bc432494b91fb4930d7d431f8a4c
https://eprints.whiterose.ac.uk/107263/1/ncomms.5.4748.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/107263/1/ncomms.5.4748.pdf