Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Koocheol Joung"'
Publikováno v:
1999 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.99CH36325).
By utilizing not only the suitable topology generated by underlying layers but also advanced processes such as poly-oxide CMP, highly selective etch, PR (photoresist) thermal flowing, etc., a giga bit level DRAM was successfully integrated with suffi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0fd6ff7a62a2ae1275f4f06a52c89cb9
https://doi.org/10.1109/vlsit.1999.799328
https://doi.org/10.1109/vlsit.1999.799328
Publikováno v:
1999 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (IEEE Cat No99CH36325); 1999, p37-38, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.