Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"Komijani, Y."'
Publikováno v:
Phys. Rev. B 88, 035417 (2013)
Low-temperature transport experiments on a p-type GaAs quantum dot capacitively coupled to a quantum point contact are presented. The time-averaged as well as time-resolved detection of charging events of the dot are demonstrated and they are used to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1302.2200
Publikováno v:
Phys. Rev. B 87, 245406 (2013)
Low temperature transport measurements on a p-GaAs quantum point contact are presented which reveal the presence of a conductance anomaly that is markedly different from the conventional `0.7 anomaly'. A lateral shift by asymmetric gating of the cond
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.3995
Autor:
Komijani, Y., Csontos, M., Shorubalko, I., Zuelicke, U., Ihn, T., Ensslin, K., Reuter, D., Wieck, A. D.
Publikováno v:
Europhys. Lett. 102, 37002 (2013)
Low-temperature electrical conductance spectroscopy measurements of quantum point contacts implemented in p-type GaAs/AlGaAs heterostructures are used to study the Zeeman splitting of 1D subbands for both in-plane and out-of-plane magnetic field orie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.3992
Publikováno v:
Applied Physics Letters 97, 022110 (2010)
A nano-fabrication technique is presented which enables the fabrication of highly tunable devices on p-type, C-doped GaAs/AlGaAs heterostructures containing shallow two-dimensional hole systems. The high tunability of these structures is provided by
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.4799
Autor:
Komijani, Y., Csontos, M., Shorubalko, I., Ihn, T., Ensslin, K., Meir, Y., Reuter, D., Wieck, A. D.
Publikováno v:
EPL 91, 67010 (2010)
Quantum point contacts implemented in p-type GaAs/AlGaAs heterostructures are investigated by low-temperature electrical conductance spectroscopy measurements. Besides one-dimensional conductance quantization in units of $2e^{2}/h$ a pronounced extra
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0908.2360
Publikováno v:
Europhys. Lett. 84, 57004 (2008)
A quantum dot fabricated by scanning probe oxidation lithography on a p-type, C-doped GaAs/AlGaAs heterostructure is investigated by low temperature electrical conductance measurements. Clear Coulomb blockade oscillations are observed and analyzed in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0809.1362
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Procedia Chemistry September 2009 1(1):1159-1162
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.