Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"Komarov, Fadei"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (b) 242 (15), R134-R136 (2005)
Self-consistent calculations of acoustic and polar optical phonon scattering rates in GaAs quantum wire transistor structures were carried out with account of collisional broadening. The influence of the gate bias on the scattering rates was examined
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0604200
Publikováno v:
Phys. Low-Dim. Struct. 1, 19-24 (2006)
An approach to calculation of the ionized impurity and surface roughness scattering rates of electrons in very thin semiconductor quantum wires taking into account the energy level broadening is worked out. It is assumed that all the electrons in the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0604177
Publikováno v:
Physica E: Low-Dim. Syst. Nanostr. 33 (2), 336-342 (2006)
The rates of electron scattering via phonons in the armchair single-wall carbon nanotubes were calculated by using the improved scattering theory within the tight-binding approximation. Therefore, the problem connected with the discrepancy of the sca
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0604121
Autor:
Makhavikou, Maksim, Komarov, Fadei, Parkhomenko, Irina, Vlasukova, Liudmila, Milchanin, Oleg, Żuk, Jerzy, Wendler, Elke, Romanov, Ivan, Korolik, Olga, Togambayeva, Altynai
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 25 June 2018 344:596-600
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dai, Shiting, Gong, Biao, Wang, Xiao, Ye, Bingjie, Parkhomenko, Irina N., Komarov, Fadei F., Wang, Jin, Xue, Junjun, Liu, Yu, Yang, Guofeng
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 2024, Vol. 71 Issue: 7 p4196-4202, 7p