Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on [100] Oriented Silicon at low Temperature < 1200°C for Photonic Applications

Autor: Kollmuß, M., Köhler, J., Ou, H., Fan, W., Chaussende, D., Hock, R., Wellmann, P. J.

Publikováno v: Kollmuß, M, Köhler, J, Ou, H, Fan, W, Chaussende, D, Hock, R & Wellmann, P J 2022, ' Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on [100] Oriented Silicon at low Temperature < 1200°C for Photonic Applications ', Materials Science Forum, vol. 1062, pp. 119-124 . https://doi.org/10.4028/p-nshb40

3C-SiC films have been grown on [100] n-doped Si substrates in a horizontal cold wall CVD reactor. Without the use of plasma enhancement, the precursors silane and propane are used to deposit silicon carbide films at T < 1200°C. The structure of the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1202::05dbaaa68ba76b633403b33733e09828
https://orbit.dtu.dk/en/publications/ecba6ce3-c2bd-493c-9335-549c13379286

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.