Výsledky vyhledávání - "Kolkovsky, Yu. V."

Akademický článek

Formation of Defects Forming Deep Levels in SiON/AlGaN/GaN Structures.

Autor: Enisherlova, K. L., Mikhaylov, I. A., Seidman, L. A., Kirilenko, E. P., Kolkovsky, Yu. V.

Publikováno v: Russian Microelectronics; Dec2023, Vol. 52 Issue 8, p817-826, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

The ALD Films of Al2O3, SiNx, and SiON as Passivation Coatings in AlGaN/GaN HEMT.

Autor: Enisherlova, K. L., Temper, E. M., Kolkovsky, Yu. V., Medvedev, B. K., Kapilin, S. A.

Publikováno v: Russian Microelectronics; 2020, Vol. 49 Issue 8, p603-611, 9p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Computer-Aided simulation of spaceborne synthetic aperture radar characteristics.

Autor: Chikov, V. A., Volchenkov, A. S., Petrov, A. S., Prilutsky, A. A.

Publikováno v: AIP Conference Proceedings; 2023, Vol. 2549 Issue 1, p1-7, 7p

Zobrazit plný text záznamu