Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Kolkovskii, Yu."'
Publikováno v:
Russian Microelectronics; May2021, Vol. 50 Issue 3, p197-205, 9p
The Effect of Defects with Deep Levels on the C–V Characteristics of High-Power AlGaN/GaN/SiC HEMTs.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Jan2019, Vol. 48 Issue 1, p28-36, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vasil’ev, A., Kolkovskii, Yu., Kotelyanskii, I., Mansfel’d, G., Pashkov, S., Finkel’, I., Rogozinskii, A.
Publikováno v:
Journal of Communications Technology & Electronics; Oct2006, Vol. 51 Issue 10, p1205-1208, 4p