Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Kojiro Yuzuriha"'
Autor:
Hirotada Kuriyama, Kojiro Yuzuriha, Kazuhito Tsutsumi, Shuji Murakami, T. Mukai, Kenji Anami, Yoshio Kohno, Y. Nishimura, Toshihiko Hirose
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25:1068-1074
A 20-ns, 4-Mb CMOS SRAM with both 4 M*1 and 1M*4 organizations and fabricated using a quadruple-polysilicon, double-metal, twin-well 0.6- mu m CMOS process technology is described. A word-decoding architecture and a sensitive sense amplifier, combine
Publikováno v:
1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 23:1060-1066
The authors describe a 14-ns 1-Mb CMOS SRAM (static random-access memory) with both 1M word*1-b and 256 K word*4-b organizations. The desired organization is selected by forcing the state of an external pin. The fast access time is achieved by the us
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.