Fabrication and characterization of a trilayer germanium nanocrystal memory device with hafnium dioxide as the tunnel dielectric

Autor: Ng, T.H., Ho, V., Teo, L.W., Tay, M.S., Koh, B.H., Chim, W.K. ^*, Choi, W.K., Du, A.Y., Tung, C.H.

Publikováno v: In Thin Solid Films 2004 462:46-50

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Modeling of charge quantization and wave function penetration effects in a metal–oxide–semiconductor system with ultrathin gate oxide.

Autor: Chim, W.K., Zheng, J.X., Koh, B.H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2003, Vol. 94 Issue 8, p5273, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Quantum mechanical modeling of capacitance and gate current for MIS structures using zirconium dioxide as the gate dielectric.

Autor: Koh, B.H., Ng, T.H., Zheng, J.X., Chim, W.K., Choi, W.K.

Publikováno v: ICONIP '02. Proceedings of the 9th International Conference on Neural Information Processing. Computational Intelligence for the E-Age (IEEE Cat. No.02EX575); 2002, p135-140, 6p