Zobrazeno 1 - 9 of 9 pro vyhledávání: '"Kobayashi, Keisuke L. I."'
1
Akademický článek
Studies of Au-GaAs (001) interfaces prepared by molecular beam epitaxy. I. Overlayer growth and Schottky barrier formation.
Autor: Kobayashi, Keisuke L. I., Watanabe, Nozomu, Narusawa, Tadashi, Nakashima, Hisao
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1985, Vol. 58 Issue 10, p3758, 8p, 4 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Studies of Au-GaAs (001) interfaces prepared by molecular beam epitaxy. II. Thermal stability of Au-GaAs (001) interface.
Autor: Watanabe, Nozomu, Kobayashi, Keisuke L. I., Narusawa, Tadashi, Nakashima, Hisao
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1985, Vol. 58 Issue 10, p3766, 9p, 6 Black and White Photographs, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Structure study of Au-GaAs(001) interfaces by HEIS, XPS, and RHEED.
Autor: Narusawa, Tadashi, Watanabe, Nozomu, Kobayashi, Keisuke L. I., Nakashima, Hisao
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1984, Vol. 2 Issue 2, p538-541, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Periodical
Photoluminescence Study of GaAs-AlGaAs Multiquantum Well Grown by Molecular-Beam Epitaxy
Autor: Ohta, Tuneaki, Kobayashi, Keisuke L. I., Nakashima, Hisao
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; January 1986, Vol. 25 Issue: 1 p59-59, 1p
Zobrazit plný text záznamu
5
Periodical
High Energy Ion Channeling Study of MBE-Grown GaAs(001) Surface Structures
Autor: Narusawa, Tadashi, Kobayashi, Keisuke L. I., Nakashima, Hisao
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; January 1985, Vol. 24 Issue: 2 pL98-L98, 1p
Zobrazit plný text záznamu
6
Periodical
A Model for DX Centers: Bond Reconstruction due to Local Random Donor-Host Atom Configurations in Mixed Semiconductor Alloys
Autor: Kobayashi, Keisuke L. I., Uchida, Yoko, Nakashima, Hisao
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; December 1985, Vol. 24 Issue: 12 pL928-L928, 1p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Photoluminescence from AlGaAs-GaAs Single Quentum Wells with Growth Interrupted Heterointerfaces Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autor: Fukunaga, Toshiaki, Kobayashi, Keisuke L. I., Nakashima, Hisao
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; July 1985, Vol. 24 Issue: 7 pL510-L510, 1p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Surface Defect Formation in GaAs Layers Grown on Intentionally Contaminated Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Autor: Watanabe, Nozomu, Fukunaga, Toshiaki, Kobayashi, Keisuke L. I., Nakashima, Hisao
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; July 1985, Vol. 24 Issue: 7 pL498-L498, 1p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Laser Cyclotron Resonance in n-Type Indium Antimonide under the Pulsed Electric Field
Autor: Kobayashi, Keisuke L. I., Otsuka, Eizo, Takeuchi, Nobuo, Yajima, Tatsuo
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; December 1971, Vol. 10 Issue: 12 p1704-1704, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje