Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"Knoops, Harm"'
Autor:
Esteki, Ardeshir, Riazimehr, Sarah, Piacentini, Agata, Knoops, Harm, Macco, Bart, Otto, Martin, Rinke, Gordon, Wang, Zhenxing, Ran, Ke, Mayer, Joachim, Grundmann, Annika, Kalisch, Holger, Heuken, Michael, Vescan, Andrei, Neumaier, Daniel, Daus, Alwin, Lemme, Max C.
Two-dimensional materials (2DMs) have been widely investigated because of their potential for heterogeneous integration with modern electronics. However, several major challenges remain, such as the deposition of high-quality dielectrics on 2DMs and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.07183
Autor:
Hossain, Azmain A., Wang, Haozhe, Catherall, David S., Leung, Martin, Knoops, Harm C. M., Renzas, James R., Minnich, Austin J.
Microwave loss in superconducting titanium nitride (TiN) films is attributed to two-level systems in various interfaces arising in part from oxidation and microfabrication-induced damage. Atomic layer etching (ALE) is an emerging subtractive fabricat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.02821
Autor:
Canto, Barbara, Otto, Martin, Powell, Michael J., Babenko, Vitaliy, Mahony, Aileen O, Knoops, Harm, Sundaram, Ravi S., Hofmann, Stephan, Lemme, Max C., Neumaier, Daniel
Publikováno v:
Adv. Mater. Technol.2021, 6, 2100489
The deposition of dielectric materials on graphene is one of the bottlenecks for unlocking the potential of graphene in electronic applications. In this paper we demonstrate the plasma enhanced atomic layer deposition of 10 nm thin high quality Al$_2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.11601
Autor:
Mandal, Soumen, Arts, Karsten, Knoops, Harm C. M., Cuenca, Jerome, Klemencic, Georgina, Williams, Oliver A.
Publikováno v:
Carbon, 181, 79 (2021)
In this work a strategy to grow diamond on $\beta$-Ga$_2$O$_3$ has been presented. The $\zeta$-potential of the $\beta$-Ga$_2$O$_3$ substrate was measured and it was found to be negative with an isoelectric point at pH $\sim$ 4.6. The substrates were
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.01048
Autor:
Chittock, Nicholas J., Shu, Yi, Elliott, Simon D., Knoops, Harm C. M., Kessels, W. M. M.., Mackus, Adriaan J. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/21/2023, Vol. 134 Issue 7, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.