Zobrazeno 1 - 10 of 105 pro vyhledávání: '"Knall, J."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Electrical properties of Si films doped with 200-eV In+ ions during growth by molecular-beam epitaxy.
Autor: Noël, J.-P., Hirashita, N., Markert, L. C., Kim, Y.-W., Greene, J. E., Knall, J., Ni, W.-X., Hasan, M. A., Sundgren, J.-E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1989, Vol. 65 Issue 3, p1189, 9p, 2 Black and White Photographs, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Incorporation of accelerated low-energy (50–500 eV) In+ ions in Si(100) films during growth by molecular-beam epitaxy.
Autor: Hasan, M. A., Knall, J., Barnett, S. A., Sundgren, J.-E., Markert, L. C., Rockett, A., Greene, J. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1989, Vol. 65 Issue 1, p172, 8p, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The use of graded InGaAs layers and patterned substrates to remove threading dislocations from GaAs on Si.
Autor: Knall, J., Romano, L. T., Biegelsen, D. K., Bringans, R. D., Chui, H. C., Harris, J. S., Treat, D. W., Bour, D. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1994, Vol. 76 Issue 5, p2697, 6p, 2 Black and White Photographs, 7 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje