Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Kluth, Elias"'
Autor:
Egbo, Kingsley, Luna, Esperanza, Lähnemann, Jonas, Hoffmann, Georg, Trampert, Achim, Grümbel, Jona, Kluth, Elias, Feneberg, Martin, Goldhahn, Rüdiger, Bierwagen, Oliver
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 133, 045701 (2023)
By employing a mixed SnO$_2$+Sn source, we demonstrate suboxide molecular beam epitaxy growth of phase-pure single crystalline metastable SnO(001) thin films at a growth rate of ~1.0nm/min without the need for additional oxygen. These films grow epit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.11678
Autor:
Ratcliff, Laura E., Oshima, Takayoshi, Nippert, Felix, Janzen, Benjamin M., Kluth, Elias, Goldhahn, Rüdiger, Feneberg, Martin, Mazzolini, Piero, Bierwagen, Oliver, Wouters, Charlotte, Nofal, Musbah, Albrecht, Martin, Swallow, Jack E. N., Jones, Leanne A. H., Thakur, Pardeep K., Lee, Tien-Lin, Kalha, Curran, Schlueter, Christoph, Veal, Tim D., Varley, Joel B., Wagner, Markus R., Regoutz, Anna
Ga$_2$O$_3$ and its polymorphs are attracting increasing attention. The rich structural space of polymorphic oxide systems such as Ga$_2$O$_3$ offers potential for electronic structure engineering, which is of particular interest for a range of appli
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.04412
Autor:
Papadogianni, Alexandra, Wouters, Charlotte, Schewski, Robert, Feldl, Johannes, Lähnemann, Jonas, Nagata, Takahiro, Kluth, Elias, Feneberg, Martin, Goldhahn, Rüdiger, Ramsteiner, Manfred, Albrecht, Martin, Bierwagen, Oliver
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 6, 033604 (2022)
In this work, we show the heteroepitaxial growth of single-crystalline bixbyite (In$_{1-x}$Ga$_x$)$_2$O$_3$ films on (111)-oriented yttria-stabilized zirconia substrates using plasma-assisted molecular beam epitaxy under various growth conditions. A
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.09612
Autor:
Egbo, Kingsley, Luna, Esperanza, Lähnemann, Jonas, Hoffmann, Georg, Trampert, Achim, Grümbel, Jona, Kluth, Elias, Feneberg, Martin, Goldhahn, Rüdiger, Bierwagen, Oliver
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/28/2023, Vol. 133 Issue 4, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.