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Autor:
Flachowsky, S., Wei, A., Herrmann, T., Illgen, R., Horstmann, M., Richter, R., Salz, H., Klix, W., Stenzel, R.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2008 154:98-101
Autor:
Herrmann, T., Feudel, Th., Horstmann, M., Hoentschel, J., Herrmann, L., Herden, M., Klix, W., Stenzel, R.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2005 124:223-227
Publikováno v:
1987 NASECODE V: Proceedings of the Fifth International Conference on the Numerical Analysis of Semiconductor Devices & Integrated Circuits; 1987, p19-30, 12p
Autor:
Flachowsky, S., Herrmann, T., Hontschel, J., Illgen, R., Ong, Shiang Yang, Wiatr, M., Baldauf, T., Klix, W., Stenzel, R.
Publikováno v:
2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS); 1/ 1/2012, p5-8, 4p
Autor:
Baldauf, T., Wei, A., Illgen, R., Flachowsky, S., Herrmann, T., Feudel, T., Ho?ntschel, J., Horstmann, M., Klix, W., Stenzel, R.
Publikováno v:
2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS); 2011, p1-4, 4p
Autor:
Baldauf, T., Wei, A., Herrmann, T., Flachowsky, S., Illgen, R., Hontschel, J., Horstmann, M., Klix, W., Stenzel, R.
Publikováno v:
2011 Semiconductor Conference Dresden (SCD); 2011, p1-4, 4p
Autor:
Flachowsky, S., Hontschel, J., Wei, A., Illgen, R., Hermann, P., Herrmann, T., Klix, W., Stenzel, R., Ramirez, A., Horstmann, M., Kernevez, N., Cayrefourcq, I., Metral, F., Kennard, M., Guiot, E.
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2009, p161-164, 4p
Autor:
Illgen, R., Flachowsky, S., Herrmann, T., Feudel, T., Thron, D., Bayha, B., Klix, W., Horstmann, M., Stenzel, R.
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2009, p157-160, 4p
Autor:
Hoentschel, J., Wei, A., Wiatr, M., Gehring, A., Scheiper, T., Mulfinger, R., Feudel, T., Lingner, T., Poock, A., Muehle, S., Krueger, C., Herrmann, T., Klix, W., Stenzel, R., Stephan, R., Huebler, P., Kammler, T., Shi, P., Raab, M., Greenlaw, D.
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting; 2008, p1-4, 4p
Autor:
Grasser, Tibor, Selberherr, Siegfried, Herrmann, T., Klix, W., Stenzel, R., Duenkel, S., Illgen, R., Hoentschel, J., Feudel, T., Horstmann, M.
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Processes & Devices 2007; 2007, p101-104, 4p