Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Klaasen, W. A."'
Publikováno v:
Proceedings of the 1988 Bipolar Circuits & Technology Meeting,; 1988, p63-66, 4p
Publikováno v:
1996 International Integrated Reliability Workshop Final Report; 1996, p103-109, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials; Oct1990, Vol. 19 Issue 10, p1111-1117, 7p
Publikováno v:
Department of Electrical and Computer Engineering Technical Reports
The research proposed for 1986 was to develop the technology for fabricating, measuring, and computer modeling the polysilicon emitter bipolar transistor. Fabrication consisted of producing three types of bipolar transistors; a regular bipolar device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::7b68e107dd3daaa27ee0879190d5980b
https://docs.lib.purdue.edu/ecetr/556
https://docs.lib.purdue.edu/ecetr/556
Autor:
Klaasen, W. A., Neudeck, G. W.
Publikováno v:
Department of Electrical and Computer Engineering Technical Reports
Selective Epitaxial Growth (SEG) of silicon has shown great potential for advanced integrated circuit technologies. Before SEG can be fully utilized, sidewall defects must be reduced or at least controlled. The phenomena responsible for these defects
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::8b9577a220ec9e9ca32e2a2cfbf4e3bc
https://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1686&context=ecetr
https://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1686&context=ecetr
Publikováno v:
1987 International Electron Devices Meeting; 1987, p872-873, 2p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.