Zobrazeno 1 - 10
of 209
pro vyhledávání: '"Kittl, J. A."'
Analysis of data presented in the paper -- Unveiling the double-well energy landscape in a ferroelectric layer, by M. Hoffmann, et al., Nature 565, 464 (2019) -- suggesting the claims of lack of hysteresis and s-curve trajectory are unfounded.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.00426
We present a thorough analysis of the foundations of models of stabilization of negative capacitance (NC) in a ferroelectric (FE) layer by capacitance matching to a dielectric layer, which claim that the FE is stabilized in a low polarization state w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.00424
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 042904 (2018)
The observation of room temperature sub-60 mV/dec subthreshold slope (SS) in MOSFETs with ferroelectric (FE) layers in the gate stacks or in series with the gate has attracted much attention. Recently, we modeled this effect in the framework of a FE
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.01145
Autor:
Chen, Y.Y., Goux, L., Pantisano, L., Swerts, J., Adelmann, C., Mertens, S., Afanasiev, V.V., Wang, X.P., Govoreanu, B., Degraeve, R., Kubicek, S., Paraschiv, V., Verbrugge, B., Jossart, N., Altimime, L., Jurczak, M., Kittl, J., Groeseneken, G., Wouters, D.J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering December 2013 112:92-96
Autor:
Ortolland, C., Togo, M., Rosseel, E., Mertens, S., Kittl, J., Absil, P.P., Lauwers, A., Hoffmann, T.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(5):578-582
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Veloso, A., Yu, H.Y., Lauwers, A., Chang, S.Z., Adelmann, C., Onsia, B., Demand, M., Brus, S., Vrancken, C., Singanamalla, R., Lehnen, P., Kittl, J., Kauerauf, T., Vos, R., O′Sullivan, B.J., Van Elshocht, S., Mitsuhashi, R., Whittemore, G., Yin, K.M., Niwa, M., Hoffmann, T., Absil, P., Jurczak, M., Biesemans, S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2008 52(9):1303-1311
Autor:
Pourtois, G., Lauwers, A., Kittl, J., Pantisano, L., Sorée, B., Gendt, S. De, Magnus, W., Heyns, M., Maex, K.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 17 June 2005 80:272-279
Autor:
Martens, K., Radu, I. P., Mertens, S., Shi, X., Nyns, L., Cosemans, S., Favia, P., Bender, H., Conard, T., Schaekers, M., De Gendt, S., Afanas'ev, V., Kittl, J. A., Heyns, M., Jurczak, M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/15/2012, Vol. 112 Issue 12, p124501, 8p
Autor:
Chou, H. Y., Badylevich, M., Afanas'ev, V. V., Houssa, M., Stesmans, A., Meersschaut, J., Goux, L., Kittl, J. A., Wouters, D. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2011, Vol. 110 Issue 11, p113724, 5p, 5 Graphs