Zobrazeno 1 - 10
of 257
pro vyhledávání: '"Kirschbaum J"'
Autor:
Hilke, S., Kirschbaum, J., Hieronymus-Schmidt, V., Radek, M., Bracht, H., Wilde, G., Peterlechner, M.
Publikováno v:
In Ultramicroscopy May 2019 200:169-179
Autor:
Höhberger, E. M., Blick, R. H., Brandes, T., Kirschbaum, J., Wegscheider, W., Bichler, M., Kotthaus, J. P.
An electron-phonon cavity consisting of a quantum dot embedded in a free-standing GaAs/AlGaAs membrane is characterized in Coulomb blockade measurements at low temperatures. We find a complete suppression of single electron tunneling around zero bias
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0304136
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kirschbaum, J. M.
Publikováno v:
Études Slaves et Est-Européennes / Slavic and East-European Studies, 1963 Apr 01. 8(1/2), 87-96.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/41055823
Autor:
KIRSCHBAUM, J. M.
Publikováno v:
Canadian Slavonic Papers / Revue Canadienne des Slavistes, 1968 Dec 01. 10(4), 533-556.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/40866191
Publikováno v:
E-MRS Spring Meeting, Symposium K: Group IV semiconductors materials research-growth, characterization and applications to electronics and spintronics, 02.-06.05.2016, Lille, France
Amorphous silicon (a-Si) is a widely used material, especially for solar cells and thin-film-transistors. Measuring the self-diffusion coefficient of a-Si is experimentally demanding since recrystallization during diffusion annealing must be suppress
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::d3bec8900fb534140b070080b9611591
https://www.hzdr.de/publications/Publ-23666-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-23666-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.