Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"King Owyang"'
Autor:
Kuo-In Chen, Qufei Chen, Frederik P. Giles, Kam Hong Lui, Deva Pattanayak, King Owyang, Ben Chan, Kyle Santa Clara Terrill, Christina Yue, Mohamed N. Darwish
Publikováno v:
ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2003. Proceedings..
A new power Trench MOSFET with W-shaped gate structure (WMOSFET) that demonstrates a significant reduction in gate-drain charge Qgd, a low on-resistance, and good production process margin is reported. The gate is formed using a thicker oxide at the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77e5c7a906b09b0f0e73f377b958d8b6
https://doi.org/10.1109/ispsd.2003.1225222
https://doi.org/10.1109/ispsd.2003.1225222
Publikováno v:
IET Circuits, Devices & Systems. 1:347
The scalability of superjunction and superfield power MOSFET technologies to break-down voltage lower than 250 V is investigated. The influence of device geometry and process architecture on the switching figures-of-merit of these relatively new clas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7145559c963fa59785d4d0a29cd29c88
https://doi.org/10.1049/iet-cds:20070021
https://doi.org/10.1049/iet-cds:20070021
Autor:
Frederik P. Giles, Ben Chan, Deva Pattanayak, King Owyang, Mohamed N. Darwish, Kyle Santa Clara Terrill, Christina Yue, Qufei Chen, Kuo-In Chen, Kam Hong Lui
Publikováno v:
IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems. 151:238
A W-shaped-gate power trench MOSFET (WFET) that demonstrates a significant reduction in gate-drain charge Q/sub gd/, a low on-resistance and good production process margin is presented. The gate is formed using a thicker oxide, self-aligned to the P-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::716ac9fefd01c8a2560b34e3d66bc39c
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20040445
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20040445
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 24:190
An integrated circuit incorporating high voltage semiconductor devices which are controlled by low voltage semiconductor devices is disclosed, including a method for making the same. The low voltage devices which are capable of realizing complex logi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::127f96e3e17c640501a58eb865eed4a5
https://doi.org/10.1016/0026-2714(84)90848-5
https://doi.org/10.1016/0026-2714(84)90848-5
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.