Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Nonlinearity analysis of TaOX redox-based RRAM

Autor: Kim, Wonjoo, Rösgen, Bernd, Breuer, Thomas, Menzel, Stephan, Wouters, Dirk, Waser, Rainer, Rana, Vikas

Publikováno v: In Microelectronic Engineering 25 March 2016 154:38-41

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Investigation of switching mechanism in Ta$_{2}$O$_{5}$-based ReRAM devices

Autor: Kim, Wonjoo

Publikováno v: Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag, Schriften des Forschungszentrums Jülich. Reihe Information / Information 50, II, III, II, 138 S. (2017). = RWTH Aachen, Diss., 2017
Jülich : Forschungszentrum Jülich GmbH, Zentralbibliothek, Schriften des Forschungszentrums Jülich. Reihe Information 50, 1 Online-Ressource (II, III, III, 138 Seiten) : Illustrationen, Diagramme (2017). doi:10.18154/RWTH-2017-10811 = Dissertation, RWTH Aachen University, 2017

Redox-based Restive Random Access Memory (ReRAM) has recently receivedstrong attention due to its potential payout toward high density, low-cost,low-energy NVMs. Development and understanding of Ta$_{2}$O$_{5}$ based ReRAM devices in this research wo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c7c39844bff7e6c872e6130a2d3200b6
https://hdl.handle.net/2128/16133

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.