Zobrazeno 1 - 10
of 137
pro vyhledávání: '"Kim, Sung Geun"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Sung‐Geun1 (AUTHOR) kim.sunggeun@gmail.com
Publikováno v:
Social Science Quarterly (Wiley-Blackwell). Jul2023, Vol. 104 Issue 4, p869-886. 18p. 4 Charts, 3 Graphs, 2 Maps.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics, vol. 107, p. 113701, 2010
A 20 band sp3d5s* spin-orbit-coupled, semi-empirical, atomistic tight-binding (TB) model is used with a semi-classical, ballistic, field-effect-transistor (FET) model, to theoretically examine the bandstructure carrier velocity and ballistic current
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1006.4174
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Choi, Eunhee1 (AUTHOR) Eunhee.Choi@Colostate.edu, Kim, Sung-Geun2 (AUTHOR), Zahodne, Laura B.3 (AUTHOR), Albert, Steven M.4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Ageing International. Mar2022, Vol. 47 Issue 1, p55-71. 17p. 4 Charts.
Autor:
Kim, Sung-Geun
Publikováno v:
Social Indicators Research, 2016 Oct 01. 129(1), 229-276.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/48715285
Autor:
Kim, Sung-Geun
Publikováno v:
Social Indicators Research, 2015 Feb 01. 120(3), 635-667.
Externí odkaz:
http://www.jstor.org/stable/24721165
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering A 26 August 2014 612:217-222
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.