Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Kim, Samuel H."'
Autor:
Kim, Samuel H.
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have appeared as attractive candidates for high power, high frequency, and high temperature operation at microwave frequencies. In particular, these devices are being considered for use in the area
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/52244
Autor:
Liszczak, Glen P., Brown, Zachary Z., Kim, Samuel H., Oslund, Rob C., David, Yael, Muir, Tom W.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2017 Jan . 114(4), 681-686.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26479040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marinov, Georgi K., Kim, Samuel H., Bagdatli, S. Tansu, Higashino, Soon Il, Trevino, Alexandro E., Tycko, Josh, Wu, Tong, Bintu, Lacramioara, Bassik, Michael C., He, Chuan, Kundaje, Anshul, Greenleaf, William J.
Additional file 1: Supplementary Figure 1. In vitro dCas9 and Cas9 CasKAS profiles around the mouse Nanog locus using the “Nanog-sg2” and “Nanog-sg3” sgRNAs. Supplementary Figure 2. CasKAS signal in vitro is specific to the activity of the dC
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::208ea1c924e4e9e32ef43983e2e00ae2
Autor:
Marinov, Georgi K., Kim, Samuel H., Bagdatli, S. Tansu, Higashino, Soon Il, Trevino, Alexandro E., Tycko, Josh, Wu, Tong, Bintu, Lacramioara, Bassik, Michael C., He, Chuan, Kundaje, Anshul, Greenleaf, William J.
Additional file 2. Review history.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2772c15b9c24198b26366fadc926c7fe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Samuel H., Shoemaker, Daniel, Green, Andrew J., Chabak, Kelson D., Liddy, Kyle J., Graham, Samuel, Choi, Sukwon
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 2023, Vol. 70 Issue: 4 p1628-1635, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.