Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"Kim, Kwangeun"'
Autor:
Lee, Won-Yong, Cho, Yoonjin, Lee, Sangwoo, Kim, Kwangeun, Bae, Jin-Hyuk, Kang, In-Man, Jang, Jaewon
Publikováno v:
In Materials Today Nano December 2024 28
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 May 2024 654
Autor:
Liu, Dong, Cho, Sang June, Seo, Jung-Hun, Kim, Kwangeun, Kim, Munho, Shi, Jian, Yin, Xin, Choi, Wonsik, Zhang, Chen, Kim, Jisoo, Baboli, Mohadeseh A., Park, Jeongpil, Bong, Jihye, Lee, In-Kyu, Gong, Jiarui, Mikael, Solomon, Ryu, Jae Ha, Mohseni, Parsian K., Li, Xiuling, Gong, Shaoqin, Wang, Xudong, Ma, Zhenqiang
Semiconductor heterostructure is a critical building block for modern semiconductor devices. However, forming semiconductor heterostructures of lattice-mismatch has been a great challenge for several decades. Epitaxial growth is infeasible to form ab
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.10225
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Dong, Cho, Sang June, Park, Jeongpil, Seo, Jung-Hun, Dalmau, Rafael, Zhao, Deyin, Kim, Kwangeun, Kim, Munho, Lee, In-Kyu, Albrecht, John D., Zhou, Weidong, Moody, Baxter, Ma, Zhenqiang
Publikováno v:
published: Appl. Phys. Lett. 112, 081101 (2018)
Ultraviolet (UV) light emission at 229 nm wavelength from diode structures based on AlN/Al0.77Ga0.23N quantum wells and using p-type Si to significantly increase hole injection was reported. Both electrical and optical characteristics were measured.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.03973
Autor:
Cho, Sang June, Liu, Dong, Seo, Jung-Hun, Dalmau, Rafael, Kim, Kwangeun, Park, Jeongpil, Zhao, Deyin, Yin, Xin, Jung, Yei Hwan, Lee, In-Kyu, Kim, Munho, Wang, Xudong, Albrecht, John D., Moody, Weidong Zhou Baxter, Ma, Zhenqiang
As UV LEDs are explored at shorter wavelengths (< 280 nm) into the UVC spectral range, the crystalline quality of epitaxial AlGaN films with high Al compositions and inefficient hole injection from p-type AlGaN severely limit the LED performance and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1707.04223
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee, Changmin, Lee, Won-Yong, Kim, Do Won, Kim, Hyeon Joong, Bae, Jin-Hyuk, Kang, In-Man, Lim, Doohyeok, Kim, Kwangeun, Jang, Jaewon
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 September 2021 559
Autor:
Lee, Sangwoo, Cho, Yoonjin, Heo, Seongwon, Bae, Jin-Hyuk, Kang, In-Man, Kim, Kwangeun, Lee, Won-Yong, Jang, Jaewon
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); May2024, Vol. 14 Issue 9, p791, 10p