Zobrazeno 1 - 10
of 653
pro vyhledávání: '"Kim, Gyu‐Tae"'
Autor:
Park, So Jeong, Jeon, Dae-Young, Piontek, Sabrina, Grube, Matthias, Ocker, Johannes, Sessi, Violetta, Heinzig, André, Trommer, Jens, Kim, Gyu-Tae, Mikolajick, Thomas, Weber, Walter M.
Reconfigurable transistors merge unipolar p- and n-type characteristics of field-effect transistors into a single programmable device. Combinational circuits have shown benefits in area and power consumption by fine-grain reconfiguration of complete
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80460
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80460/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80460/attachment/ATT-0/
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids January 2025 196
Publikováno v:
In Surface Science April 2024 742
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Current Applied Physics April 2023 48:11-16
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, HyunJeong Kim WungYeon, O'Brien, Maria, McEvoy, Niall, Yim, Chanyoung, Marcia, Mario, Hauke, Frank, Hirsch, Andreas, Kim, Gyu-Tae, Duesberg, Georg S.
Field-effect transistors (FETs) with non-covalently functionalised molybdenum disulfide (MoS2) channels grown by chemical vapour deposition (CVD) on SiO2 are reported. The dangling-bond-free surface of MoS2 was functionalised with a perylene bisimide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.01713
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 November 2022 921