Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"Kienle, Diego"'
Publikováno v:
Europhys. Lett (EPL) 119,64003 (2017)
Non-neutrally buoyant soft particles in vertical microflows are investigated. We find, soft particles lighter than the liquid migrate to off-center streamlines in a downward Poiseuille flow (buoyancy-force antiparallel to flow). In contrast, heavy so
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.06590
We study the dynamics of asymmetric, deformable particles in oscillatory, linear shear flow. By simulating the motion of a dumbbell, a ring polymer, and a capsule we show that cross-stream migration occurs for asymmetric elastic particles even in lin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1608.05603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We develop an approach for self-consistent ac quantum transport in the presence of time-dependent potentials at non-transport terminals. We apply the approach to calculate the high-frequency characteristics of a nanotube transistor with the ac signal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1003.2058
Autor:
Kienle, Diego, Léonard, François
We present an approach for time-dependent quantum transport based on a self-consistent non-equilibrium Green function formalism. The technique is applied to a ballistic carbon nanotube transistor in the presence of a time harmonic signal at the gate.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0906.2826
Publikováno v:
Phys. Rev. B 77, 035432 (2008)
We theoretically study the effect of a localized unpaired dangling bond (DB) on occupied molecular orbital conduction through a styrene molecule bonded to a n++ H:Si(001)-(2x1) surface. For molecules relatively far from the DB, we find good agreement
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0607226
Autor:
Kienle, Diego, Cerda, Jorge I., Bevan, Kirk H., Liang, Gengchiau, Siddiqui, Lutfe, Ghosh, Avik W.
In this second paper, we develop transferable semi-empirical parameters for the technologically important material, silicon, using Extended Huckel Theory (EHT) to calculate its electronic structure. The EHT-parameters areoptimized to experimental tar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0603393
We describe a semi-empirical atomic basis Extended H\"uckel Theoretical (EHT) technique that can be used to calculate bulk bandstructure, surface density of states, electronic transmission and interfacial chemistry of various materials within the sam
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0603329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.