Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Khosravi, Ava"'
Autor:
Pang, Chin-Sheng, Hung, Terry Y. T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Kim, Moon J., Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
Adv. Electron. Mater. 2020, 1901304
Two-dimensional transitional metal dichalcogenide (TMD) field-effect transistors (FETs) are promising candidates for future electronic applications, owing to their excellent transport properties and potential for ultimate device scaling. However, it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.08619
Autor:
Lo, Chun-Li, Catalano, Massimo, Khosravi, Ava, Ge, Wanying, Ji, Yujin, Zemlyanov, Dmitry Y., Wang, Luhua, Addou, Rafik, Liu, Yuanyue, Wallace, Robert M., Kim, Moon J., Chen, Zhihong
The interconnect half-pitch size will reach ~20 nm in the coming sub-5 nm technology node. Meanwhile, the TaN/Ta (barrier/liner) bilayer stack has to be > 4 nm to ensure acceptable liner and diffusion barrier properties. Since TaN/Ta occupy a signifi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.08143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pang, Chin‐Sheng, Hung, Terry Y. T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wang, Qingxiao, Kim, Moon J., Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials; Aug2020, Vol. 6 Issue 8, p1-8, 8p
Autor:
Pang, Chin-Sheng, Hung, Terry Y.T., Khosravi, Ava, Addou, Rafik, Wallace, Robert M., Chen, Zhihong
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Jul2020, Vol. 41 Issue 7, p1122-1125, 4p
Autor:
Wang, Xinglu, Cormier, Christopher R., Khosravi, Ava, Smyth, Christopher M., Shallenberger, Jeffrey R., Addou, Rafik, Wallace, Robert M.
Publikováno v:
Surface Science Spectra; 2020, Vol. 27 Issue 1, p1-11, 11p