Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Khoklang A"'
Autor:
Khoklang, Aniwat, Kersanté, Pierrick, Nontasan, Supap, Sutthi, Nantaporn, Pakdeenarong, Noppakun, Wang, Tiehui, Wangkahart, Eakapol
Publikováno v:
In Fish and Shellfish Immunology January 2024 144
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chaunchaiyakul, Songpol, Yano, Takeshi, Khoklang, Kamonchanok, Krukowski, Pawel, Akai-Kasaya, Megumi, Saito, Akira, Kuwahara, Yuji
Publikováno v:
In Carbon April 2016 99:642-648
Autor:
Khoklang, Kamonchanok, Kiravittaya, Suwit, Kunrugsa, Maetee, Prongjit, Patchareewan, Thainoi, Supachok, Ratanathammaphan, Somchai, Panyakeow, Somsak
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 September 2015 425:291-294
Autor:
Megumi Akai-Kasaya, Yuji Kuwahara, Akira Saito, Kamonchanok Khoklang, Pawel Krukowski, Songpol Chaunchaiyakul, Takeshi Yano
Publikováno v:
Carbon. 99:642-648
The relationship between the 2D and G band intensities and the number of walls of a multiwalled carbon nanotube was investigated by tip-enhanced Raman spectroscopy, which enables spatial resolution of nanometer order. The 2D band to G band integrated
Autor:
Somchai Ratanathammaphan, Supachok Thainoi, Patchareewan Prongjit, Maetee Kunrugsa, Suwit Kiravittaya, Somsak Panyakeow, Kamonchanok Khoklang
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 425:291-294
We report on the molecular beam epitaxial growth of self-assembled GaSb quantum dots (QDs) on (0 0 1) GaAs substrates with an insertion layer. The insertion layer, which is a 4-monolayers (MLs) InxGa1−xAs (x=0.00, 0.07, 0.15, 0.20 and 0.25), is gro
Autor:
Somsak Panyakeow, Somchai Ratanathammaphan, Suwit Kiravittaya, Kamonchanok Khoklang, Supachok Thainoi
Publikováno v:
2015 12th International Conference on Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI-CON).
GaSb quantum dots (QDs) have been grown by solid-source molecular beam epitaxy on a 4-monolayer (ML) In x Ga 1−x As (x = 0.07, 0.15, 0.20 and 0.25) to investigate the effects of In-mole-fraction of InGaAs insertion layers on the structural and opti
Autor:
Kamonchanok Khoklang, Patchareewan Prongjit, Somsak Panyakeow, Somchai Ratanathammaphan, Maetee Kunrugsa
Publikováno v:
2014 International Conference on Nanoscience and Nanotechnology.
We present the fabrication of GaSb quantum rings (QRs) on the GaAs (001) substrates by droplet epitaxy technique using solid-source molecular beam epitaxy (MBE). In droplet epitaxy process, Ga was deposited on GaAs surface to form liquid Ga droplets