Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"Khirunenko, L."'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/7/2022, Vol. 132 Issue 13, p1-8, 8p
Autor:
Zaets, I., Podolich, O., Kukharenko, O., Reshetnyak, G., Shpylova, S., Sosnin, M., Khirunenko, L., Kozyrovska, N., de Vera, J.-P.
Publikováno v:
In Advances in Space Research 1 March 2014 53(5):828-835
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 7p, 3 Charts, 7 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:550-553
Autor:
Gusakov, V. E., Lastovskii, S.B., Murin, L. I., Tolkacheva, E.A., Khirunenko, L. I., Sosnin, M. G., Duvanskii, A.V., Markevich, Vladimir, Halsall, Matthew, Peaker, Anthony, Kolevatov, I, Ayedh, H.M., Monakhov, E. V., Svensson, B. G.
Publikováno v:
Gusakov, V E, Lastovskii, S B, Murin, L I, Tolkacheva, E A, Khirunenko, L I, Sosnin, M G, Duvanskii, A V, Markevich, V, Halsall, M, Peaker, A, Kolevatov, I, Ayedh, H M, Monakhov, E V & Svensson, B G 2017, ' The di-interstitial in silicon: Electronic properties and interactions with oxygen and carbon impurity atoms ', Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science . https://doi.org/10.1002/pssa.201700261
New experimental and theoretical results on the silicon di-interstitial (I2) and itsinteractions with oxygen and carbon impurity atoms in Si crystals are reported. The electronic structure calculations indicate that I2 has an acceptor and a donor lev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3818::803f6a5025ed35f28cd61dd9115582e0
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/the-diinterstitial-in-silicon-electronic-properties-and-interactions-with-oxygen-and-carbon-impurity-atoms(bf32c5b3-6d4a-4f49-84bc-f7d680c4c96f).html
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/the-diinterstitial-in-silicon-electronic-properties-and-interactions-with-oxygen-and-carbon-impurity-atoms(bf32c5b3-6d4a-4f49-84bc-f7d680c4c96f).html
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2013, Vol. 47 Issue 2, p269-274. 6p.
Autor:
Khirunenko, L. I.1 lukh@iop.kiev.ua, Pomozov, Yu. V.1, Sosnin, M. G.1, Duvanskii, A. V.1, Abrosimov, N. V.2,3, Riemann, H.3
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2010, Vol. 44 Issue 10, p1253-1257. 5p. 1 Chart, 6 Graphs.
Publikováno v:
Semiconductors. Mar2003, Vol. 37 Issue 3, p288. 6p.