Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Khina, B. B."'
Autor:
Khina, B. B.
The goal of this book is to describe basic approaches to modeling non-isothermal interaction kinetics during CS of advanced materials and reveal the existing controversies and apparent contradictions between different theories, on one hand, and betwe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science. Aug2004, Vol. 39 Issue 16/17, p5135-5138. 4p.
Autor:
Khina, B. B., Goranskiy, G. G.
Publikováno v:
Advanced Materials & Technologies.
The chemical potential of iron in a amorphous phase of multicomponent multiphase alloys Fe - 7.3% Si - 14.2% B - 8.26% Ni (alloy 1) and Fe - 0.32% Si - 4.8% B - 6.68% Ni - 2.42% Co - 8.88% Cr - 6.42% Mo (alloy 2), which contain crystalline and amorph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f892f6beb291d30a2eff0a041007fe94
http://cyberleninka.ru/article/n/thermodynamic-properties-of-multicomponent-amorphous-alloys-in-fe-si-b-ni-and-fe-si-b-ni-co-cr-mo-systems
http://cyberleninka.ru/article/n/thermodynamic-properties-of-multicomponent-amorphous-alloys-in-fe-si-b-ni-and-fe-si-b-ni-co-cr-mo-systems
Publikováno v:
International Journal of Self-Propagating High-Temperature Synthesis; Oct2019, Vol. 28 Issue 4, p239-244, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
An extended Jive-stream model Jor diffusion in silicon is presented. A finite-difference method for computer modeling of dopant diffusion during post-implantation annealing is developed. Conservative implicit finite-difference schemes are obtained us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1594::77c56a272fe9660bd67c75087b093380
http://elib.bsu.by/handle/123456789/95276
http://elib.bsu.by/handle/123456789/95276
Autor:
Khina, B. B.
Low-energy high-dose ion implantation of different dopants (P, Sb, As, В and others) into monocrystaiiine silicon with subsequent thermal annealing is used for the formation of ultra-shallow p-n junctions in modern VLSI circuit technology. During an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1594::f4bd1bcaba56d54c2e0f0335e15db296
http://elib.bsu.by/handle/123456789/223420
http://elib.bsu.by/handle/123456789/223420