Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Khazanova, S. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Golikov, O. L., Kodochigov, N. E., Obolensky, S. V., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p51-56, 6p
Autor:
Golikov, O. L., Zabavichev, I. Yu., Ivanov, A. S., Obolensky, S. V., Obolenskaya, E. S., Paveliev, D. G., Potekhin, A. A., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p44-50, 7p
Autor:
Tarasova, E. A.1 (AUTHOR) tarasova@rf.unn.ru, Khazanova, S. V.1 (AUTHOR), Golikov, O. L.1 (AUTHOR), Puzanov, A. S.1 (AUTHOR), Obolensky, S. V.1 (AUTHOR), Zemlyakov, V. E.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2021, Vol. 55 Issue 12, p895-898. 4p.
Autor:
Khazanova, S. V., Golikov, O. L., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Zabavichev, I. Yu., Potekhin, A. A., Obolenskaya, E. S., Ivanov, A. S., Paveliev, D. G., Obolensky, S. V.
Publikováno v:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p800-804, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Zemlyakov V. E., null Obolensky S. V., null Puzanov A. S., null Golikov O. L., null Khazanova S. V., null Tarasova E. A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:630
Computational and experimental studies of the characteristics of a high-power AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT were performed. A self-consistent numerical solution of the Schrodinger and Poisson equations was used to calculate the band diagram and the elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb211da34912cc3eb20d3d50452a1f53
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54125.37
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54125.37
Autor:
null Kharlamov A. V., null Gasainiev Z. Sh., null Klement’ev D.S., null Okhapkin A. I., null Ubyivovk E. V., null Trushin V. N., null Zdoroveyshchev A. V., null Nezhdanov A. V., null Malekhonova N. V., null Shushunov A. V., null Sidorenko K. V., null Gorshkov A. P, null khazanova S. V., null Baidus' N.V., null Bobrov A. I.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:619
In this paper, we propose a method for predicting the refractive index variation in InGaAlAs tunnel-coupled quantum wells under the action of an electric field. Complex of mathematical and experimental studies to optimize the heterosystems design for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::387e2bd297caeebd48ad7e4c9839e9ec
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54123.35
https://doi.org/10.21883/sc.2022.09.54123.35
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.