Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"Kharche, N."'
Autor:
Rahman, R., Verduijn, J., Kharche, N., Lansbergen, G. P., Klimeck, G., Hollenberg, L. C. L., Rogge, S.
Publikováno v:
Physical Review B 83, 195323 (2011)
An important challenge in silicon quantum electronics in the few electron regime is the potentially small energy gap between the ground and excited orbital states in 3D quantum confined nanostructures due to the multiple valley degeneracies of the co
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1102.5311
Publikováno v:
In Geochimica et Cosmochimica Acta 1 July 2018 232:206-224
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2012 15th International Workshop on Computational Electronics; 1/ 1/2012, p1-4, 4p
Publikováno v:
2010 14th International Workshop on Computational Electronics (IWCE); 2010, p1-4, 4p
Publikováno v:
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM); 2009, p1-4, 4p
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting; 2008, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nanotechnology; Jan2007, Vol. 6 Issue 1, p43-47, 5p