Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Kh.B. Ashurov"'
Autor:
V. I. Mashanov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, I. D. Loshkarev, Kh.B. Ashurov, V. A. Timofeev, A.K. Gutakovskii
Publikováno v:
«Узбекский физический журнал». 20:218-223
The formation of pseudomorphous GeSiSn layers directly on Si have been investigated. The transition from two-dimensional growth regime to three-dimensional of the GeSiSn film on Si(100) was studied for different mismatch with silicon and growth tempe
Publikováno v:
Наносистемы: физика, химия, математика.
We describe the features of the conversion of electrical current into light in light diodes based on an organic matrix containing semiconductor quantum dots. It is shown that the relaxation channels of nonequilibrium electron-hole plasma injected int
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.