Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"Kettle, L."'
Bottlenecks occur in a wide range of applications from pedestrian and traffic flow to mineral and food processing. We examine granular flow across a bottleneck using particle-based simulations. Contrary to expectations we find that the flowrate acros
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1109.6108
We give a quantum master equation description of the measurement scheme based on a coplanar microwave cavity capacitively coupled to nano mechanical resonator. The system exhibits a rich bifurcation structure that is analogous to sub/second harmonic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0702512
Publikováno v:
Phys. Rev. B 73, 115205 (2006)
We theoretically study the Hilbert space structure of two neighbouring P donor electrons in silicon-based quantum computer architectures. To use electron spins as qubits, a crucial condition is the isolation of the electron spins from their environme
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0512200
Motivated by applications to quantum computer architectures we study the change in the exchange interaction between neighbouring phosphorus donor electrons in silicon due to the application of voltage biases to surface control electrodes. These volta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0402642
Publikováno v:
J. Phys.: Cond. Matter, 16, 1011, (2004)
We calculate the electron exchange coupling for a phosphorus donor pair in silicon perturbed by a J-gate potential and the boundary effects of the silicon host geometry. In addition to the electron-electron exchange interaction we also calculate the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0402183
Autor:
Wellard, C. J., Hollenberg, L. C. L., Parisoli, F., Kettle, L., Goan, H. -S., McIntosh, J. A., Jamieson, D. N.
Inter-valley interference between degenerate conduction band minima has been shown to lead to oscillations in the exchange energy between neighbouring phosphorus donor electron states in silicon \cite{Koiller02,Koiller02A}. These same effects lead to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0309417
Autor:
Kettle, L. M., Goan, H. S., Smith, Sean C., Wellard, C. J., Hollenberg, L. C. L., Pakes, C. I.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 68, 075317 (2003)
In this paper we examine the effects of varying several experimental parameters in the Kane quantum computer architecture: A-gate voltage, the qubit depth below the silicon oxide barrier, and the back gate depth to explore how these variables affect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0308124
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.