Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Ketterer, Bernt"'
Autor:
Ketterer, Bernt, Heiss, Martin, Livrozet, Marie J., Reiger, Elisabeth, Morral, Anna Fontcuberta i
GaAs nanowires with a 100% wurtzite structure are synthesized by the vapor-liquid-solid method in a molecular beam epitaxy system, using gold as a catalyst. We use resonant Raman spectroscopy and photoluminescence to determine the position of the cry
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1102.2306
Resonant Raman spectroscopy is realized on closely spaced nanowire based quantum wells. Phonon quantization consistent with 2.4 nm thick quantum wells is observed, in agreement with cross-section transmission electron microscopy measurements and phot
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1101.4847
Autor:
Heiß, Martin, Ketterer, Bernt, Uccelli, Emanuele, Morante, Joan Ramon, Arbiol, Jordi, Morral, Anna Fontcuberta i
Growth of GaAs and InGaAs nanowires by the group-III assisted Molecular Beam Epitaxy growth method is studied in dependence of growth temperature, with the objective of maximizing the indium incorporation. Nanowire growth was achieved for growth temp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1011.5152
Autor:
Ketterer, Bernt
Semiconductor nanowires offer a wide range of opportunities for newgenerations of nanoscale electronic and optic devices. For these applications to become reality, deeper understanding of the fundamental properties of the nanowires is required. In th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::677ae5a186d57d3b388ed7fd3c8fd10d
Autor:
Hei��, Martin, Ketterer, Bernt, Uccelli, Emanuele, Morante, Joan Ramon, Arbiol, Jordi, Morral, Anna Fontcuberta i
Growth of GaAs and InGaAs nanowires by the group-III assisted Molecular Beam Epitaxy growth method is studied in dependence of growth temperature, with the objective of maximizing the indium incorporation. Nanowire growth was achieved for growth temp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0fc42297854c73db32ed86d0f429ff3d
http://arxiv.org/abs/1011.5152
http://arxiv.org/abs/1011.5152
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.