Zobrazeno 1 - 10
of 152
pro vyhledávání: '"Kersch, Alfred"'
Autor:
Mittmann, Terence, Materano, Monica, Lomenzo, Patrick D., Park, Min Hyuk, Stolichnov, Igor, Cavalieri, Matteo, Zhou, Chuanzhen, Chung, Ching-Chang, Jones, Jacob L., Szyjka, Thomas, Müller, Martina, Kersch, Alfred, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe
Thin film metal–insulator–metal capacitors with undoped HfO₂ as the insulator are fabricated by sputtering from ceramic targets and subsequently annealed. The influence of film thickness and annealing temperature is characterized by electrical
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80520
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80520/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80520/attachment/ATT-0/
III-valent dopants have shown to be most effective in stabilizing the ferroelectric, crystalline phase in atomic layer deposited, polycrystalline HfO₂ thin films. On the other hand, such dopants are commonly used for tetragonal and cubic phase stab
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80421
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80421/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80421/attachment/ATT-0/
The discovery of very large piezo- and pyroelectric effects in ZrO2 and HfO2-based thin films opens up new opportunities to develop silicon-compatible sensor and actor devices. The effects are amplified close to the polar-orthorhombic to tetragonal p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.00540
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The ferroelectric properties of nanoscale silicon doped HfO$_2$ promise a multitude of applications ranging from ferroelectric memory to energy-related applications. The reason for the unexpected behavior has not been clearly proven and presumably in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.10312
Autor:
Künneth, Christopher, Kölbl, Simon, Wagner, Hans Edwin, Häublein, Volker, Kersch, Alfred, Alt, Hans Christian
Molecular-like carbon-nitrogen complexes in GaAs are investigated both experimentally and theoretically. Two characteristic high-frequency stretching modes at \num{1973} and \SI{2060}{cm^{-1}}, detected by Fourier transform infrared absorption (FTIR)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.07512
Autor:
Pešić, Milan, Künneth, Christopher, Hoffmann, Michael, Mulaosmanovic, Halid, Müller, Stefan, Breyer, Evelyn T., Schroeder, Uwe, Kersch, Alfred, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
The discovery of ferroelectric properties of binary oxides revitalized the interest in ferroelectrics and bridged the scaling gap between the state-of-the-art semiconductor technology and ferroelectric memories. However, before hitting the markets, t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.06983
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett., vol. 111, no. 8, p. 82902, 2017
Different dopants with their specific dopant concentration can be utilized to produce ferroelectric HfO$_2$ thin films. In this work it is explored for the example of Sr in a comprehensive first-principles study. Density functional calculations revea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.07778