Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"Kent, P F"'
Autor:
Sarwar, A. T. M. Golam, Carnevale, Santino D., Yang, Fan, Kent, Thomas F., Jamison, John J., McComb, David W., Myers, Roberto C.
Bottom up nanowires are attractive for realizing semiconductor devices with extreme heterostructures because strain relaxation through the nanowire sidewalls allows the combination of highly lattice mismatched materials without creating dislocations.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.03849
Autor:
Yang, Zihao, Kent, Thomas F., Yang, Jing, Jin, Hyungyu, Heremans, Joseph P., Myers, Roberto C.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 92, 224416 (2015)
Here we report on the effect of rare earth Gd-doping on the magnetic properties and magnetotransport of GaN two-dimensional electron gasses (2DEGs). Samples are grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy and consist of AlN/GaN heterostructures w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1502.03478
Autor:
Sarwar, A. T. M. Golam, Carnevale, Santino D., Kent, Thomas F., Yang, Fan, McComb, David W., Myers, Roberto C.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 106, 032102 (2015)
We report a systematic study of p-type polarization induced doping in graded AlGaN nanowire light emitting diodes grown on silicon wafers by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The composition gradient in the p-type base is varied in a set of sam
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.5765
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 102, 201114 (2013)
Self assembled AlGaN polarization-induced nanowire light emitting diodes (PINLEDs) with Gd-doped AlN active regions are prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy on Si substrates. Atomically sharp electroluminescence (EL) from Gd intra-f-she
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.7453
Publikováno v:
Appl. Phys. lett. 100, 152111 (2012)
Periodic structures of GdN particles encapsulated in a single crystalline GaN matrix were prepared by plasma assisted molecular beam epitaxy. High resolution X-ray diffractometery shows that GdN islands, with rock salt structure are epitaxially orien
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1203.0028
Autor:
Carnevale, S. D., Marginean, C., Phillips, P. J., Kent, T. F., Sarwar, A. T. M. G., Mills, M. J., Myers, R. C.
Publikováno v:
Appl. Phys. lett. 100, 142115 (2012)
Resonant tunneling diodes are formed using AlN/GaN core-shell nanowire heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on n-Si(111) substrates. By using a coaxial geometry these devices take advantage of non-polar (m-plane) nanowire
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.6052
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.