Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Kenneth W. Nill"'
A Transmission X-ray Microscope (TXM) for Non-destructive 3D Imaging of ICs at Sub-100 nm Resolution
Autor:
David Trapp, Suneeta Neogi, Christopher Kelly, Casey Bennet, Frederick William Duewer, Kenneth W. Nill, Souping Yan, Markus Kuhn, David Scott, Peter Coon, Steve Wang, Wenbing Yun, Shashidar Kamath, Alan Lyon
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
Xradia has developed a laboratory table-top transmission x-ray microscope, TXM 54-80, that uses 5.4 keV x-ray radiation to nondestructively image buried submicron structures in integrated circuits with at better than 80 nm 2D resolution. With an inte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::343206f184a2dda2f0ddd654810acd6a
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2002p0227
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2002p0227
Publikováno v:
ISTFA 2001: Conference Proceedings from the 27th International Symposium for Testing and Failure Analysis.
A high-resolution table-sized x-ray nanotomography (XRMT) tool has been constructed that shows the promise of nondestructively imaging the internal structure of a full IC stack with a spatial resolution better than 100 nm. Such a tool can be used to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d37058a79f54655f2a8b40f5a56bec6
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2001p0015
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2001p0015
Autor:
Kenneth W. Nill, James N. Walpole
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 42:5609-5617
The dependence of the capacitance C on the voltage is derived for metal‐semiconductor barriers in which there is a strong inversion layer at the metal‐semiconductor interface, a case of interest in the study of surface effects and in applications
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b9f4e88058aff5e48273cd1f1ce753b
https://doi.org/10.1063/1.1659990
https://doi.org/10.1063/1.1659990
Autor:
Jack R. Butler, Kenneth W. Nill
Publikováno v:
Physics Today. 32:81-81
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97104a5b6e1b14581339d2b2ee8e0175
https://doi.org/10.1063/1.2995431
https://doi.org/10.1063/1.2995431
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.