Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Kenneth V. Rousseau"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 54:1341-1343
We have calculated the resonant tunneling current of electrons in single‐ and double‐barrier GaAs‐AlAs heterostructures in the (001) direction. A ten‐band empirical tight‐binding model is used in which the wave function is propagated throug
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
We have calculated the tunneling of holes in single -barrier and double -barrier GaAs /A1GaAs diodes using a ten -band,empirical tight- binding model. Transfer matrices are used to model the wave -function on a layer -by -layer level allowing for a s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.