Zobrazeno 1 - 10
of 154
pro vyhledávání: '"Kenneth K. O"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society, Vol 3, Pp 17-31 (2023)
Complementary Oxide Semiconductor (CMOS) integrated circuits (IC’s) technology is emerging as a means for realization of capable and affordable systems that operate at frequencies near 300 GHz and higher. This is lowering a key barrier for utilizin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1713f8ae58b64e8b8d7337ba0bb645de
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. 12:446-456
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 70:3244-3256
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 70:1432-1441
A de-embedding technique for high-Q or high-cutoff frequency ( $f_{{T}})$ one-port structures such as metal-oxide-semiconductor (MOS) varactors and Schottky diodes for millimeter- and submillimeter-wave applications is proposed to mitigate the limita
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shenggang Dong, Wooyeol Choi, Ibukunoluwa Momson, Pavan Yelleswarapu, Kenneth K. O, Sandeep Kshattry
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 56:681-693
A 180-GHz minimum shift keying (MSK) receiver (RX) using a phase-locked loop (PLL), which self-synchronizes the carrier frequency, is demonstrated. The mixer-first RX is fabricated in a 65-nm CMOS process. A double-balanced anti-parallel-diode-pair s