Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Keizaburo Kuramasu"'
Publikováno v:
Journal of the Ceramic Society of Japan. 105:161-165
Silicon oxynitride (SiOxNy) films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PCVD), using silane (SiH4), nitrious oxide (N2O) and nitrogen (N2) as reactive gases. Studies on the mechanical properties and composition of the SiOxNy fi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de737d780b9fcd378c56fca393a7db96
https://doi.org/10.2109/jcersj.105.161
https://doi.org/10.2109/jcersj.105.161
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9344b27f194d145cadc873d8a24df5f
https://doi.org/10.7567/ssdm.1991.s-a-8
https://doi.org/10.7567/ssdm.1991.s-a-8
Autor:
Saito Shinji, Keizaburo Kuramasu
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 31:135
Plasma etching of RuO2 thin films was studied. It was shown that reactive ion etching employing CF4 or O2 plasma is effective in delineating RuO2 fine patterns. The etching rate was 2∼5 times higher than that for sputter etching. A higher etching r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bee831285fad767511f77da4f2b62d10
https://doi.org/10.1143/jjap.31.135
https://doi.org/10.1143/jjap.31.135
Publikováno v:
Transactions of the Japan Institute of Metals. 12:218-219
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20a6f45d779c0764dadaed8c044ae6c7
https://doi.org/10.2320/matertrans1960.12.218
https://doi.org/10.2320/matertrans1960.12.218
Autor:
Kazuyoshi Tsukamoto, Kiyotaka Wasa, Takashi Hirao, Masatoshi Kitagawa, Keizaburo Kuramasu, Yoshiaki Yoshioka, Tetsuhiro Korechika, Takeshi Kamada
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 27:1609
The compositional properties of silicon nitride (SiN) and silicon oxynitride (SiON) films prepared by electron cyclotron resonance plasma CVD (ECR P-CVD) and conventional plasma CVD (P-CVD) methods have been investigated and compared. SiH4-N2 gas was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::82ba501652d4cae69fbb8bea4dad7ab9
https://doi.org/10.1143/jjap.27.1609
https://doi.org/10.1143/jjap.27.1609
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.