Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Ke Jianyuan"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs. 66:1129-1133
A new source driving circuit to compensate characteristics variations of thin-film transistors for AMOLED displays with high resolution is presented in this brief. The second-generation current conveyor is implemented for rapid current sensing of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a58e7edb1c8b4af5b3dcf2153a40f949
https://doi.org/10.1109/tcsii.2018.2881389
https://doi.org/10.1109/tcsii.2018.2881389
Autor:
Yu Tianbao, Congwei Liao, Shengxiang Huang, Heng Luo, Lianwen Deng, Ke Jianyuan, Hongzhi Xing
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal. 19:1412-1415
A readout circuit for large sized capacitive touch screens is presented in this letter. Being different from the conventional readout circuit, the phase conversion module is inserted between the differential sensing structure and the integrating ampl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::119319b528a98cc5fa5cb701a8cf497e
https://doi.org/10.1109/jsen.2018.2883037
https://doi.org/10.1109/jsen.2018.2883037
Publikováno v:
Electronics
Volume 9
Issue 4
Electronics, Vol 9, Iss 574, p 574 (2020)
Volume 9
Issue 4
Electronics, Vol 9, Iss 574, p 574 (2020)
Using low-temperature poly-silicon thin-film transistors (LTPS TFTs) as a basis, a pixel circuit for an active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) with narrow bezel displays was developed. The pixel circuit features mono-type scanning signal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c0814dc854d991ca5fa266a529714159
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs. 65:734-738
An operational amplifier with indium-gallium-zinc oxide thin-film-transistors (InGaZnO TFTs) is proposed and investigated. The proposed amplifier features introduction of positive feedback with negative equivalent output resistance for high voltage g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfeb202f03024ddb9e2c45b10d1d149c
https://doi.org/10.1109/tcsii.2018.2792429
https://doi.org/10.1109/tcsii.2018.2792429
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 35:027302
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dc5968e381668a0438c258b163b5654
https://doi.org/10.1088/0256-307x/35/2/027302
https://doi.org/10.1088/0256-307x/35/2/027302